SiTime可編程晶振,SiT1568晶振,32.768KHZ溫補(bǔ)晶振小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
        在過去的幾十年里,石英晶體振蕩器、時(shí)鐘發(fā)生器和石英晶體諧振器是電子器件中主要的參考計(jì)時(shí)元件.由于沒有其他選擇,OEMs和ODMs接受了石英定時(shí)裝置固有的局限性.現(xiàn)在,有了強(qiáng)大的MEMS諧振器和高性能模擬電路,SiTime晶振公司已經(jīng)開發(fā)出突破石英器件限制的突破性解決方案,研發(fā)出高性能貼片晶振,石英晶體振蕩器,可編程石英晶體振蕩器等.
        SiTime石英晶體振蕩器可編程架構(gòu)使最靈活的產(chǎn)品具有更多的特性和超快的領(lǐng)導(dǎo)時(shí)間.為電子產(chǎn)品的微型化提供了支持,它提供了行業(yè)中最小的包的定時(shí)解決方案——小到1.5 x0.8毫米,以及減少組件計(jì)數(shù)的獨(dú)特功能.我們的產(chǎn)品通過將多個(gè)組件的功能組合在同一個(gè)包中來減少董事會(huì)空間.半導(dǎo)體公司正在集成我們的硅MEMS諧振器在其SOCs / ASICs中完全消除外部時(shí)鐘和簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì).
       SiTime石英晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器在100多個(gè)應(yīng)用程序中被超過1000個(gè)客戶使用.我們的最大容量設(shè)計(jì)是在網(wǎng)絡(luò)、消費(fèi)者、計(jì)算和存儲(chǔ)部分.2011年,我們開始為電信、無線和工業(yè)應(yīng)用提供產(chǎn)品.SiTime于2013年進(jìn)入智能手機(jī)市場(chǎng),推出了首個(gè)移動(dòng)電話MEMS振蕩器,目前在可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用領(lǐng)域正在迅速發(fā)展.

Frequency and Stability
Fixed Output Frequency	32.768KHZ
Total Frequency Stability	±5 ppm ±25 ppm	All inclusive, after overmold, post in-system calibration. All inclusive, after overmold, before in-system calibration.
First Year Frequency Aging	±1 ppm	TA = 25°C, Vdd = 1.8V, with overmold.
Jitter and Frequency Response Performance
Integrated Phase Jitter	1.8~2.5 nsRMS	Integration bandwidth = 100 Hz to 16.384 kHz. Inclusive of 50 mV peak-to-peak sinusoidal noise on Vdd. Noise frequency 100 Hz to 20 MHz.
RMS Period Jitter	2.5~4 nsRMS	10,000 samples, per JEDEC standard 65B
Peak-to-Peak Period Jitter	20~35 nsp-p
Dynamic Temperature Frequency Response	±0.5 ppm/sec	Under temp ramp up to 1.5°C/sec
Supply Voltage and Current Consumption
Operating Supply Voltage	1.62~1.98V
Supply Current	4.5~5.3 µA	No load
Start-up Time at Power-up	300 ms	Measured when supply reaches 90% of final Vdd to the first output pulse.
Operating Temperature Range
Commercial Temperature	-20~70 °C
Industrial Temperature	-40~85 °C
LVCMOS Output
Output Rise/Fall Tim	9~20 ns	10-90% (Vdd), 15 pF Load.
Output Clock Duty Cycle	45~55%
Output Voltage High	90% vdd	LOH = -1 μA
Output Voltage Low	10% VDD	LOL = 1 μA

        SiTime晶振環(huán)?；纠砟睿?br />         SiTime可編程晶振,SiT1568晶振,32.768KHZ溫補(bǔ)晶振
       1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動(dòng)方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境.遵守國(guó)內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).
       2.保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性.
       3.有效利用資源和能源,認(rèn)識(shí)到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行有效利用.
       4為構(gòu)建循環(huán)型社會(huì)做出貢獻(xiàn),致力于石英晶振晶體原材料減少廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會(huì).
       5.推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會(huì)的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).
       6.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運(yùn)用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染.
       SiTime晶振完全符合ISO14001環(huán)境管理體系國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的要求,體現(xiàn)了一個(gè)適合、三個(gè)承諾和一個(gè)框架：
       建造美麗家園——適合于我公司的生產(chǎn)活動(dòng)、產(chǎn)品以及服務(wù)過程的性質(zhì).規(guī)模與環(huán)境影響；
       持續(xù)改進(jìn)——持續(xù)改進(jìn)環(huán)境績(jī)效和環(huán)境管理體系的承諾；
      減少石英晶振晶體材料污染,節(jié)能降耗——污染預(yù)防的承諾；
      依法治理——遵守現(xiàn)行適用的環(huán)境法律、法規(guī)和其他要求的承諾；
      “減少污染,節(jié)能降耗,建造美麗家園；依法治理,持續(xù)改進(jìn),凈化一片藍(lán)天”提供了建立和評(píng)審環(huán)境目標(biāo)和指標(biāo)的框架.